NGTB03N60R2DT4G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NGTB03N60R2DT4G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 9A 600V DPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 3A |
Testbedingung | 300V, 3A, 30Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 27ns/59ns |
Schaltenergie | 50µJ (on), 27µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 65 ns |
Leistung - max | 49 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 17 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 9 A |
Grundproduktnummer | NGTB03 |
NGTB03N60R2DT4G Einzelheiten PDF [English] | NGTB03N60R2DT4G PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NGTB03N60R2DT4Gonsemi |
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Zielpreis (USD)
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